808 нм T-сериялы лазерлік диод модулі – 30 Вт

Ерекше өзгешеліктері

●30 Вт жоғары шығыс қуаты

●400μm/0,22NA мультимодалы оптикалық талшық

●Орталық толқын ұзындығы 808±3 нм

Қолданбалар

●Қатты күйдегі лазерді айдау

●Материалды өңдеу

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз PDF ретінде жүктеп алыңыз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

808 нм, 30 Вт лазерлік диод материалды өңдеу немесе қатты күйдегі лазерді айдау саласында қолданылуы мүмкін

Құрылғының әдеттегі өнімділігі (25℃)

	Мин	Типтік	Макс	Бірлік
Оптикалық
CW шығыс қуаты	-	30	-	W
Орталық толқын ұзындығы	-	808±3	-	nm
Спектрлік ені (қуаттың 90%)	-	< 10,0	-	nm
Толқын ұзындығының температурамен ығысуы	-	0.3	-	нм/℃
Электрлік
Шекті ток	-	1.9	-	A
Жұмыс тогы	-	11	-	A
Жұмыс кернеуі	-	5.5	-	V
Еңістің тиімділігі	-	3.3	-	W / A
Қуатты түрлендіру тиімділігі	-	49	-	%
Талшық*
Талшық өзегінің диаметрі	-	400	-	мкм
Талшықты қаптаманың диаметрі	-	440	-	мкм
Талшықты буфердің диаметрі	-	700	-	мкм
Сандық апертура	-	0,22	-	-
Талшық ұзындығы	-	1-5	-	m
Талшықты қосқыш	-	-	-	-

* Арнайы талшық және қосқыш қол жетімді.

Абсолютті рейтингтер

	Мин	Макс	Бірлік
Жұмыс температурасы	15	35	℃
Жұмыстың салыстырмалы ылғалдылығы	-	75	%
Салқындату режимі	-	Суды салқындату (25℃)	-
Сақтау температурасы	-20	80	℃
Сақтау салыстырмалы ылғалдылығы	-	90	%
Қорғасынның дәнекерлеу температурасы (макс. 10 с)	-	250	℃

Бұл нұсқаулық тек анықтама үшін берілген.Han's TCS өз өнімдерін үнемі жетілдіріп отырады, сондықтан тұтынушыларға ескертусіз сипаттамаларды өзгерте алады, толық ақпарат алу үшін Han's TCS сату бөліміне хабарласыңыз.@2022 Han's TianCheng Semiconductor Co., Ltd. Барлық құқықтар қорғалған.